多晶硅生产主流工艺流程？

（一）国内外多晶硅生产的主要工艺技术 1，改良西门子法——闭环式三氯氢硅氢还原法 改良西门子法是用氯和氢合成氯化氢（或外购氯化氢），氯化氢和工业硅粉在一定的温度下合成三氯氢硅，然后对三氯氢硅进行分离精馏提纯，提纯后的三氯氢硅在氢还原炉内进行cvd反应生产高纯多晶硅。 国内外现有的多晶硅厂绝大部分采用此法生产电子级与太阳能级多晶硅。 2，硅烷法——硅烷热分解法 硅烷（sih4）是以四氯化硅氢化法、硅合金分解法、氢化物还原法、硅的直接氢化法等方法制取。然后将制得的硅烷气提纯后在热分解炉生产纯度较高的棒状多晶硅。以前只有日本小松掌握此技术，由于发生过严重的爆炸事故后，没有继续扩大生产。但美国asimi和sgs公司仍采用硅烷气热分解生产纯度较高的电子级多晶硅产品。 3，流化床法 以四氯化硅、氢气、氯化氢和工业硅为原料在流化床内（沸腾床）高温高压下生成三氯氢硅，将三氯氢硅再进一步歧化加氢反应生成二氯二氢硅，继而生成硅烷气。 制得的硅烷气通入加有小颗粒硅粉的流化床反应炉内进行连续热分解反应，生成粒状多晶硅产品。因为在流化床反应炉内参与反应的硅表面积大，生产效率高，电耗低与成本低，适用于大规模生产太阳能级多晶硅。唯一的缺点是安全性差，危险性大。其次是产品纯度 不高，但基本能满足太阳能电池生产的使用。 此法是美国联合碳化合物公司早年研究的工艺技术。目前世界上只有美国memc公司采用此法生产粒状多晶硅。此法比较适合生产价廉的太阳能级多晶硅。 4，太阳能级多晶硅新工艺技术 除了上述改良西门子法、硅烷热分解法、流化床反应炉法三种方法生产电子级与太阳能级多晶硅以外，还涌现出几种专门生产太阳能级多晶硅新工艺技术。 1）冶金法生产太阳能级多晶硅 据资料报导[1]日本川崎制铁公司采用冶金法制得的多晶硅已在世界上最大的太阳能电池厂（sharp公司）应用，现已形成800吨/年的生产能力，全量供给sharp公司。 主要工艺是：选择纯度较好的工业硅（即冶金硅）进行水平区熔单向凝固成硅锭，去除硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分后，进行粗粉碎与清洗，在等离子体融解炉中去除硼杂质，再进行第二次水平区熔单向凝固成硅锭，去除第二次区熔硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分，经粗粉碎与清洗后，在电子束融解炉中去除磷和碳杂质，直接生成太阳能级多晶硅。 2）气液沉积法生产粒状太阳能级多晶硅 据资料报导[1]以日本tokuyama公司为代表，目前10吨试验线在运行，200吨半商业化规模生产线在2005-2006年间投入试运行。 主要工艺是：将反应器中的石墨管的温度升高到1500℃，流体 三氯氢硅和氢气从石墨管的上部注入，在石墨管内壁1500℃高温处反应生成液体状硅，然后滴入底部，温度回升变成固体粒状的太阳能级多晶硅。 3）重掺硅废料提纯法生产太阳能级多晶硅 据美国crystal systems资料报导[1]，美国通过对重掺单晶硅生产过程中产生的硅废料提纯后，可以用作太阳能电池生产用的多晶硅，最终成本价可望控制在20[wiki]美元[/wiki]/kg以下。 （二）目前国内外多晶硅生产现状 1，国外多晶硅生产现状[1] 目前国外多晶硅生产在质量上已能满足大规模集成电路用直拉单晶硅和电力电子器件用的区熔单晶硅的要求，并不断以新工艺技术、向更大规模化、更低生产成本方向发展。见表1。几大公司垄断了多晶硅生产技术，保持各自的份额，同时满足了不断发展的各种半导体硅芯片的需要。 表1 国外多晶硅公司生产现状 公司 国别 原料工艺反应器 产品 形状 产品 定位 2004年 产 量 2005年 产量预期 hemlock 美国 hcl+工业硅 西门子工艺与反应器 棒状 电子级 7000 7800 tokuyama 日本 h2+cl2+工业硅 西门子工艺与反应器 棒状 电子级 4800 4800 wacker 德国 h2+cl2+工业硅 西门子工艺与反应器 棒状 电子级 4600 5000 asimi 美国 sih4, sih4 热分解工艺 西门子反应器 棒状 电子级 2400 2400 sgs 美国 sih4, sih4 热分解工艺 西门子反应器 棒状 电子级 2200 2200 三菱 日本 h2+cl2+工业硅 西门子工艺与反应器 棒状 电子级 1600 1600 三菱 日本 h2+cl2+工业硅 西门子工艺与反应器 棒状 电子级 1200 1200 memc 意大利 sihcl3 西门子工艺与反应器 棒状 电子级 1000 1000 sumi tomo 日本 h2+cl2+工业硅 西门子工艺与反应器 棒状 电子级 700 700 memc 美国 na al h2 h2sif6 流化床反应器 粒状 太阳能 1500 1500 合 计 27000 28200 2，国内多晶硅生产现状 目前国内多晶硅生产在工艺技术和规模上与国外有较大的差距，原料消耗高、能耗高、规模小、产量低、装备差、成本高、质量不稳定、市场竞争力弱。因此多晶硅生产厂家由上世纪80年代的14家到90年代减为两家（峨嵋半导体材料厂和洛阳单晶硅有限公司）。目前洛阳中硅公司300吨/年已建成投产，在建的还有新光硅业1260吨/年。国内多晶硅生产现状列于表2。从表2中可以看出，国内多晶硅产量小，远不能满足我国单晶硅生产的需求，特别是不能满足太阳能光伏产业迅猛发展的需求。 表2 国内多晶硅生产现状 生产厂(公司) 生产能力 （吨/年） 工 艺 产品 定位 备 注 新光硅业 1260 改良西门子法 电子级 计划2007年初投产 中硅公司 300 改良西门子法 电子级 2005年9月试车 峨嵋半导体材料厂 100 改良西门子法 电子级 2006年扩至200吨/年 合计 1660 2005年实际产量不到150吨 （三）国内外多晶硅技术发展趋势[1] 1，国外多晶硅技术发趋势 由于全世界加速普及太阳能发电，因此太阳能光伏产业发展迅猛，造成太阳能级多晶硅大量短缺，所以目前国内外多晶硅技术发展趋势与扩产计划，都是为了满足太阳能光伏产业发展需求为特点，见表3。 表3 国外多晶硅公司新技术发展趋势 公司 国 新技术发展趋势、特点与进 扩产计划 备注 别 展 hemlock 美国 2008年实现以三氯氢硅、二氯二氢硅、硅烷为原料，流化床反应器的多晶硅生产新技术，主工艺过程仍属于西门子工艺。 2005-2008 再增3000吨 tokuyama 日本 以三氯氢硅和氢气为原料，管状炉反应器，‘vld’工艺使用石墨管将温度升高到1500℃，三氯氢硅和氢气从石墨管上部注入，在1500℃的石墨管壁上反应生成液体硅，然后滴入底部，降温变成固体粒状硅。此工艺研发始于1999年，除反应器外主工艺仍属西门子工艺。 10吨试验线已在运行，2005年200吨线投入运行，2008年大规模新技术线投入运行有可能延续成为第二大供应商 wacker 德国 以三氯氢硅和氢气为原料，流化床反应器，工业级试验线用了两个多晶硅反应器，反应器为fbr型。100吨试验线在2004年10月投入运行，除反应器外主工艺仍属于西门子工艺。 产能 2005年为5000吨 2006年为6500吨 2007年为9000吨 sgs 美国 硅烷(sih4)热分解，太阳能级粒状硅，反应器是流化床fbr型，此外，主工艺过程不会有太多变化。 可能形成能力： 2005年200吨 2006年500吨 2007年1500吨 2008年5000吨 tssi 德国 硅烷(sih4)热分解，反应器类型类似德山曹达的 ‘tube-recator’，也类似于西门子型反应器， 原计划在2004年完成试验室试验。产能： 2005年20-100吨 2007-2008年形成 1000吨/年生产线 可能潜在进入者，目前尚没有试验线运行 信息 elkem 挪威 热法冶金提炼，共有三个阶段，外于高度保密。 2004年6月尚未作出是否建一条100-250吨的生产线。原计划在2005-2006年形成2000-5000吨的产能 可能潜在进入者 从表3可以看出国外多晶硅生产技术发展的特点： 1）研发的新工艺技术几乎全是以满足太阳能光伏硅电池行业所需要的太阳能级多晶硅。 2）研发的新工艺技术主要集中体现在多晶硅生成反应器装置上，多晶硅生成反应器是复杂的多晶硅生产系统中的一个提高产能、降低能耗的关键装置。 3）研发的流化床（fbr）反应器粒状多晶硅生成的工艺技术，将是生产太阳能级多晶硅首选的工艺技术。其次是研发的石墨管状炉（tube-recator）反应器，也是降低多晶硅生产电耗，实现连续性大规模化生产，提高生产效率，降低生产成本的新工艺技术。 4）流化床（fbr）反应器和石墨管状炉（tube-recator）反应器，生成粒状多晶硅的硅原料可以用硅烷、二氯二氢硅或是三氯氢硅。 5）在2005年前多晶硅扩产中100%都采用改良西门子工艺。在2005年后多晶硅扩产中除elkem外，基本上仍采用改良西门子工艺。 通过以上分析可以看出，目前多晶硅主要的新增需求来自于太阳 能光伏产业，国际上已经形成开发低成本、低能耗的太阳能级多晶硅生产新工艺技术的热潮，并趋向于把生产低纯度的太阳能级多晶硅工艺和生产高纯度电子级多晶硅工艺区分开来，以降低太阳能级多晶硅生产成本，从而降低太阳能电池制造成本，促进太阳能光伏产业的发展，普及太阳能的利用，无疑是一个重要的技术决策方向。 2，国内多晶硅技术发趋势 目前国内的几家多晶硅生产单位的扩产，都是采用改良西门子工艺技术。还没见到新的工艺技术有所突破的报导。

38楼的兄弟的说法不全正确 首先多晶硅生产对氢气的消耗量其实是很少的，主要消耗在sihcl3 的制备上，用量也不大，相对于氯碱厂的h2量来说这不算啥； 现在国内很多多晶硅项目的目标都是瞄准光伏行业的，7n~9n就能满足要求了，11n可以作为电子级多晶硅了；

主要的多晶硅生产技术选择 经过数十年的研究和生产实践，许多方法被淘 汰，如以ca，mg或al还原sio ；zn，a1或mg 还原sic1，法等；剩下的是硅烷分解法和氯硅烷还 原法。下面我们讨论这几种方法的优劣 1 sici4法 氯硅烷中以sic1 法应用较早，所得到的多晶 硅纯度也很好， 但是生长速率较低(4～6／lm／ min)，一次转换效率只有2％ ～10％ ，还原温度高 (1 200℃)，能耗高达250 kw •h／kg，虽然有纯度 高安全性高的优点，但产量低。早期如我国605厂 和丹麦topsil工厂使用过，产量小，不适于1 000 t 级大工厂的硅源。目前sic1 主要用于生产硅外延 片。 2 sil2ci2法 sil，c1，也可以生长高纯度多晶硅，但一般报 道只有～100 q•cm，生长温度为1 000℃ ，其能耗 在氯硅烷中较低，只有90 kw•h／kg。与sihc13相 比有以下缺点：它较易在反应壁上沉淀，硅棒上和 管壁上沉积的比例为100：1，仅为sihcl 法的 1％ ：易爆，而且还产生硅粉，一次转换率只有 17％ ，也比sihc1 法略低；最致命的缺点是 sil，c1，危险性极高，易燃易爆，且爆炸性极强， 与空气混合后在很宽的范围内均可以爆炸，被认为 比sil 还要危险，所以也不适合作多晶硅生产。 3 sil4法 我国过去对硅烷法有研究，也建立了小型工 厂，但使用的是陈旧的mg2si与nh4c1反应(在 nh 中)方法。此方法成本高， 已不采用。用钠 和四氟化硅或氢化钠和四氟化硅也可以制备硅烷， 但是成本也较高。适于大规模生产电子级多品硅用 的硅烷是以冶金级硅与sic1 逐步反应而得。此方 法由union carbide公司发展并且在大规模生产中 得到应用，制备1 kg硅烷的价格约为8～14美元。 硅烷生长的多晶硅电阻率可高达2 000 q•cm (用石英钟罩反应器)。硅烷易爆炸，国外就发生过 硅烷工厂强烈爆炸的事故。 现代硅烷法的制备方法是由sic1 逐步氢化： sic1 与硅、氢在3．55 mpa和500℃下首先生成si— hc1 ，再经分馏／再分配反应生成sil，c1，，并在再 分配反应器内形成sil c1，sil c1通过第三次再 分配反应迅速生成硅烷和副产品sil，c1，。转换效 率分别为20％ ～22．5％ ，9．6％及14％ ， 每一步转 换效率都比较低，所以物料要多次循环。整个过程 要加热和冷却，再加热再冷却， 消耗能量比较高。 硅棒上沉积速率与反应器上沉积速率之比为10：1， 仅为sihc1 法的1／10。特别要指出，sil 分解时 容易在气相成核。所以在反应室内生成硅的粉尘， 损失达10％ ～20％ ，使硅烷法沉积速率仅为3～8 ／lm／min。硅烷分解时温度只需800℃ ， 所以电耗 仅为40 kw •h／kg，但由于硅烷制造成本高，故最 终的多晶硅制造成本比sihc1 法要高。用钟罩式 反应器生长sil 在成本上并无优势，加上sil 的 安全问题，我们认为建设中国的大硅厂不应采取钟 罩式硅烷热分解技术。 硅烷的潜在优点在于用流床反应器生成颗粒状 多晶硅。 4 sihcl3法 sihcl 法是当今生产电子级多晶硅的主流技 术_4 j， 其纯度可达n 型2 000 q•cm， 生产历史已 有35年。实践证明，sihcl 比较安全， 可以安全 地运输，可以贮存几个月仍然保持电子级纯度。当 容器打开后不像sil 或sil2c12那样燃烧或爆炸； 即使燃烧，温度也不高，可以盖上。sihcl 法的 有用沉积比为1×10 ，是sil 的100倍。在4种 方法中它的沉积速率最高，可达8～ 10／~m／min。 一次通过的转换效率为5％ ～20％ ，在4种方法中 也是最高的。沉积温度为1 100℃ ，仅次于sic1 (1 200℃ )，所以电耗也较高，为120 kw •h／kg。 sihc1 还原时一般不生成硅粉，有利于连续操作。 为了提高沉积速率和降低电耗，需要解决气体动力 学问题和优化钟罩反应器的设计。反应器的材料可 以是石英也可以是金属的，操作在约为0．14 mpa 的压力下进行，钟罩温度≤575℃ 。如果钟罩温度 过低，则电能消耗大，而且靠近罩壁的多晶硅棒温 度偏低，不利于生长。如果罩壁温度大于575℃ ， 则sihc1 在壁上沉积，实收率下降，还要清洗钟 罩。国外多晶硅棒直径可达229 fnnq。国内sihc1 法 的电耗经过多年的努力已由500 kw•h／kg降至200 kw•h／kg，硅棒直径达到100 fnnq左右。

生产1吨多晶硅产生15-25吨四氯化硅，一千吨多晶硅至少产生四氯化硅15000吨，气相白碳黑吃不了的。加上光纤用的二氧化硅也吃不了。氢气回收、还原都不是问题，最多能耗大成本高。四氯化硅呢，不能到，不能用，存着？

现在我知道的有改良西门子法 其他的只是听说而已，哪位达人详细给我介绍介绍

现在国内的几大工程精馏采用的都是精馏的方法提纯三氯氢硅，至于氢化技术方面不好说，至少现在还没有一家开得好的，四氯化硅问题不解决将是我国发展多晶硅行业的一大难题，现在要是谁能解决四氯化硅的问题，谁说的5年计划才能真正实现。

贝尔法能详细说说吗？ 四氯化硅在还原过程中有三氯氢硅的产生，具体量有多少？ 还有就是这个工艺的生长速度如何?

我现在所知的最先进的工艺是俄罗斯的无氯法工艺，该工艺以si和乙醇为原料，反应过程中没有使用cl，消除了含氯污染物污染环境的可能，而且，所有甲硅烷提纯和热分解的步骤都是在室温或低温下进行的，降低了工作的危险。

国内一下子上这么多不成熟的多晶硅生产线，会不会造成很大浪费呢？ （1）多晶硅一般依托氯碱厂，以便于利用氯碱氢气，多晶硅的建设会不会刺激氯碱产能的放大，造成氯碱的浪费呢？ （2）多家工厂都说已经取得国外专利技术，我从网上看到只有一家上海公司声称拥有此技术，并对国内转让，但我想，多晶硅是涉及航天、军事的材料，国外厂家给我们的可能也只是淘汰的设备或技术吧？ （3）笔者有机会跟随无锡尙德多晶硅团队工作过一段时间，了解到河南中硅的还原工艺仍不成熟，多晶硅质量仍达不到11n，但做光伏勉强够了。 综上所述，多晶硅产业仍有一定的风险，每套装置动不动就是40、50亿投资，如果建成后不能正常生产，会造成大量的浪费。

改良西门子法，三氯[wiki]氢[/wiki]硅在纯h2的还原条件下，在1050℃的硅芯发热体表面上沉积、生长[wiki]多晶硅[/wiki]。该工艺目前是国内外成熟、稳定、安全、可靠、产品质量稳定的多晶硅生产工艺。 高纯氢气和精馏提纯的高纯三氯氢硅按适宜的摩尔配比进入还原炉，在硅芯发热体表面上沉积，生长多晶硅，得到产品。 还原炉尾气经干法回收得到三氯氢硅和四氯化硅混合液、氯化氢气体以及氢气。分离的氯化氢经降膜吸收器吸收成为副产品盐酸。降膜吸收后的尾气经喷淋水洗塔水洗后达标排空。氢气返回还原炉生产多晶硅。 西门子工艺每生产1t多晶硅产品将产生近14t的副产物sicl4，即年产1000t多晶硅，就有14000t副产sicl4，一般通过四氯化硅氢化、四氯化硅综合利用（生产白炭黑），以达到四氯化硅的循环使用。 三氯氢硅和四氯化硅混合液送精馏分离，经连续精馏后得到的三氯氢硅送还原炉生产多晶硅，四氯化硅送氢化。三氯氢硅粗馏、干法精馏和氢化粗馏得到的四氯化硅经连续提纯后，送四氯化硅氢化系统。在温度400～500℃、压力1.2～l.5mpag的条件下，四氯化硅转化成三氯氢硅，得到氢化产品。氢化产品经连续粗馏后，得到三氯氢硅、四氯化硅和低沸物。三氯氢硅送三氯氢硅精馏，四氯化硅送提纯系统，低沸物加以回收和综合利用。 还原过程产生大量的热能，用导热油循环冷却将热量用于工艺生产和生活中，使能量得到循环利用。 改良西门子法多晶硅生产工艺，其特点为闭路循环，包括四氯化硅氢化、大型还原炉、还原尾气干法回收等

主流工艺是改良西门子法 该法最后还得取决于四氯化硅的去向 四氯化硅的去向靠其他行业目前还不现实 只有靠转化为三氯氢硅或还原为硅两个方面技术的更进一步的突破！！

西门子工艺、硅烷法（改良西门子法应改为）、流化床法、冶金硅的直接固化提纯技术以及热碳还原法等几种目前主要的半导体高纯多晶硅和太阳能等级多晶硅生产技术的技术特点、优势、劣势以及相关制造商等数据和信息进行了对比分析，其中改良西门子工艺生产的多晶硅的产能约占世界总产能的80％，短期内产业化技术垄断封锁的局面不会改变。 多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。 西门子法：粉碎的冶金级硅在硫化床反应器中与hci气体混合并反应生成三氯氢硅和氢气，si＋3hci→sihc13＋h2。由于sihc13在30℃以下是液体，因此很容易与氢气分离。接着，通过精馏使sihc13与其它氯化物分离，经过精馏的sihcl3，其杂质水平可低于10-10％的电子级硅要求。提纯后的sihc13通过cvd原理制备出多晶硅锭。 改良西门子法——闭环式三氯氢硅氢还原法。改良西门子法是用氯和氢合成氯化氢（或外购氯化氢），氯化氢和工业硅粉在一定的温度下合成三氯氢硅，然后对三氯氢硅进行分离精馏提纯，提纯后的三氯氢硅在氢还原炉内进行cvd反应生产高纯多晶硅。国内外现有的多晶硅厂绝大部分采用此法生产电子级与太阳能级多晶硅。该法生产多晶硅的原辅材料为三氯氢硅、氯化氢、氢气、氧化钙、氢氟酸、硝酸、氢氧化钠。 硅烷法——硅烷热分解法。硅烷（sih4）是以四氯化硅氢化法、硅合金分解法、氢化物还原法、硅的直接氢化法等方法制取。然后将制得的硅烷气提纯后在热分解炉生产纯度较高的棒状多晶硅。其辅助原料还有液氨、氯化铵（氨肥厂提供）、金属镁等。 流化床法以四氯化硅、氢气、氯化氢和工业硅为原料在流化床内（沸腾床）高温高压下生成三氯氢硅，将三氯氢硅再进一步歧化加氢反应生成二氯二氢硅，继而生成硅烷气。制得的硅烷气通入加有小颗粒硅粉的流化床反应炉内进行连续热分解反应，生成粒状多晶硅产品。因为在流化床反应炉内参与反应的硅表面积大，生产效率高，电耗低与成本低，适用于大规模生产太阳能级多晶硅。唯一的缺点是安全性差，危险性大。其次是产品纯度不高，但基本能满足太阳能电池生产的使用。 elkem法是一种冶金硅的固化提纯技术，目前制造太阳级硅的主要方法是使用精炼的冶金级硅，采用电子束加热真空抽除法去除磷杂质，然后凝固，再采用等离子体氧化法去除硼及碳，再凝固。采用水蒸气混合的冠等离子体可将硼含量降到0•lppm的水平，经过再凝固硅中的金属杂质含量可降到ppb的水平。用此太阳级硅制成的常规工艺电他的最高效率可达到14％，高效工艺制的电他的最高效率可达到16％。此太阳级硅已进入每年生产60吨的中试阶段。 多晶硅提纯是一个高耗能的行业，而且如果没有严格的环保控制，也是一个高污染的行业。如前所述，西门子法的晶体生长过程中，需要维持1100oc左右的高温，需要大量电力。这也就不奇怪为什么美国生产全球 50％以上的多晶硅，因为其电力供应充沛且在发达国家中电价相对较低。生产 1000 吨多晶硅会有三氯氢硅3500 吨、四氯化硅 4500吨废液产生，而未经处理回收的三氯氢硅、四氯化硅是一种有毒的液体，环境污染极为严重。发达国家所建的多晶硅提纯项目，都包括建立有毒气体、液体的回收系统。以中国现在的环保标准和执行力度，盲目发展多晶硅项目的后果实在令人忧心。

综合起来。 这是国内光伏产业的一个互相矛盾， 而且现在国内一窝蜂的上多晶硅。 由于生产多晶硅的技术国外对中国封锁。 一没有技术，二没有人才， 大家 都想上， 我担心会引起全国的一团混乱。 人才的争夺， 技术差的也冒充技术高的。 还由于这个行业是一个高危险的化工 行业，一不小心就会出事故。 我为从事多晶硅生产的 一线员工感到担心啊。

四氯化硅有氯氢化和热氢化两种工艺，俄罗斯的是热氢化四川新光就是，但引进的装置满足不了其宣布的产能

化学提纯高纯硅的方法很多，其中三氯氢硅还原法具有产量大，质量高成本低等优点。是目前国内外制取高纯硅的主要方法：三氯氢硅还原法： 三氯氢硅在室温下为无色透明，油状的液体，易挥发和水解，在空气中剧烈发烟并用强烈的刺激臭味。由于三氯氢硅中有一个硅氢键，所以它比四氯化硅活泼易分解。他的[wiki]沸点[/wiki]低，容易制备，提纯和还原。