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超级电容器赝电容材料的循环伏安曲线分析?

如题,本人做的是赝电容材料,由于是实验室第一个做超电的,很多问题都不甚明了。 我做的是三电极体系,工作电极是活性物质涂在泡沫镍表面,对电极是铂片电极,参比电极是Ag/AgCl电极,电解液是水体系2M的KOH 第一张图是-1---1v的CV曲线(扫描速率20mv/s) 第二张是根据上图的图形选择的电化学窗口(-0.5--0.6v)(扫描速率20mv/s) 问题如下: 1.第二张图选取的电化学窗口是否合适?若不合适应该怎样选取? 2.针对这样的CV曲线应该怎样分析? 3.根据CV曲线推测材料性能如何? 希望各位大神踊跃发言,如果满意定追加金币! -1--1v.jpg -0.5--0.6v.jpg
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共7个回答
差不多,否则结构就已经被破坏了.建议多测几组不同扫速的图形在具体分析,还有此图最好与充放电图对比看,在软件里可以计算氧化还原峰面积计算容量,同时分析一下可逆性什么的,希望有用啊 请问充放电曲线的电压范围必须要和循环伏安曲线的电压窗口对应么?我看文献有些是对应的,有些却不是,也不知道到底应该怎么样,
电位窗不能仅仅根据这个图来看,还得参考一下恒电流充放电的数据~ 上限电位控制在析氧之前,下限电位一般就到0v~ 看你这个20 mv/s的图,cv扫的范围可以再-0.2 ~ 0.6这个区间~单纯看这个cv曲线,个人感觉分析不出太多的问题~ 电容性能好坏还要看你的活性物质的载量~多扫速下循环曲线,以及不同电流密度的充放电曲线,电化学阻抗谱等综合来看吧~
电流急剧增大的那个电位,就是溶液分解电压,建议多做几组比较
虽然不知道你是什么赝电容材料,一般在中性的电解液中比较好,电位窗取正电位,利于离子的嵌入脱出,也就是赝电容产生电容的机理。仅供参考
电位窗不能仅仅根据这个图来看,还得参考一下恒电流充放电的数据~ 上限电位控制在析氧之前,下限电位一般就到0v~ 看你这个20 mv/s的图,cv扫的范围可以再-0.2 ~ 0.6这个区间~单纯看这个cv曲线,个人感觉分析不出太 ... 根据恒流充放电曲线是怎么看的呢?是看能够充电的最高电压么?
这个扫描电势单位一般参考文献报道的设置,然后再根据实际情况调整,只要峰出完全就行了!cv氧化峰和还原峰越对称说明电极可逆性越好,面积越大电容越大!
差不多,否则结构就已经被破坏了.建议多测几组不同扫速的图形在具体分析,还有此图最好与充放电图对比看,在软件里可以计算氧化还原峰面积计算容量,同时分析一下可逆性什么的,希望有用啊
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