提问
盖德化工网  >  盖德问答  >  石墨烯转移求助?

石墨烯转移求助?

请教各位朋友,我用丙酮浸泡法去除PMMA的过程中,石墨烯破裂是怎么回事。
实验步骤如下:将Graphene/PMMA转移至硅片,自然晾干后,在加热台上150度处理15min。其中硅片作了亲水处理。
另,当硅片不作亲水处理时,石墨烯没有破裂的情况。
0评论 +关注
共4个回答
石墨烯破裂很正常,我四年多时间转移了不少于1500块样品了,少许的破裂很正常。你的方法我看了倒没有大的问题。不过针对石墨烯转移,有些方面可以提到助于提高石墨烯的完整度。1. 旋涂PMMA过程,转速不宜太高,以免 ...
您好,请问用氧plasma打掉背部石墨烯的参数是多少?我现在的设的参数是60W,O2:15sccm;Ar:40sccm 4min后没有去除效果
您好,我刚开始做石墨烯转移实验,想请问一下您的PMMA是在哪里购买的呢?对分子量有什么要求吗?
我最近也在做,我们可以讨论下,qq2476445532

石墨烯破裂很正常,我四年多时间转移了不少于1500块样品了,少许的破裂很正常。你的方法我看了倒没有大的问题。不过针对石墨烯转移,有些方面可以提到助于提高石墨烯的完整度。1. 旋涂PMMA过程,转速不宜太高,以免PMMA太薄,我个人常用3000 rpm 一分钟。2. 旋涂完PMMA的样品干燥了以后再去丢到刻蚀液中去刻蚀,有些人在这步还对样品事先加热了一下也可以。比如90度热台处理几分钟,让PMMA贴合的更好。(另外刻蚀前反面的G要先用plasma打掉)。3. 刻蚀的过程,0.2-0.5M的刻蚀液会好一些。4.将PMMA/G样品捞出水面的时候,尽量确保硅基底和G的界面没有肉眼可见的气泡,因为漂浮在液面的G的下面部分会吸附一些气泡,这个气泡很可能在干燥过程中引起开裂。5. 热处理的温度我个人建议不要这么高80-120可以了。至于你说的不做亲水处理的硅基底G没有破损,因为亲水后的表面在捞G的时候,水分子层更容易到G与SI界面,导致样品容易滑移引起开裂吧。如果是这样的话,就不需要做亲水处理了。
您好,我刚开始做石墨烯转移实验,想请问一下您的PMMA是在哪里购买的呢?对分子量有什么要求吗?
国内供应商(61家)
石墨烯相关回答
您可能感兴趣的问答
 
请填写举报原因
选择举报原因
 
增加悬赏
剩余能量值
能量值