半导体 TiO2 催化能力？

我想问：1、为什么禁带宽度越大氧化还原反应能力越强，麻烦详细解释一下！? ?? ?2、引入杂质能级增加了可见光的响应范围，是由于杂质的掺杂引起禁带宽减小而导致的吗？... 带隙能与氧化还原性能之间的关系并不是绝对的，那还要看半导体的价带和导带边电位，一般电位越正，其氧化能力越高，电位越负，还原能力越强，也就是价带越负，导带越正，氧化还原能力越强。杂质能级增加了可见光的响应范围，是由于杂质的掺杂引起禁带宽减小而导致，这就想当于一个很高的台阶让你上去费劲，中间给你搭一个梯子，你上去就可任意借助梯子变得容易，电子从价带到导带跃迁难度大，但掺杂后禁带宽度降低就变得容易。掺杂后将导致电子-空穴的复合率提高，所以又引进稀土降低电子-空穴的复合率，这就是你常能看见RE-N共掺杂的文献原因。

禁带宽越大对应的导带和价带的氧化还原能力就越强。掺杂能级的引入在很大程度上是为了扩展光吸收范围，使二氧化钛貝有可见光响应的性质。禁带大对应催化能力强这个说法也不准确。... 那掺杂能级的引入提高可见光的响应是以牺牲催化剂的氧化还原能力为条件的，这么理解可以吧？

禁带宽度越大 氧化还原能力越强 对于二氧化钛而言 锐钛矿相尽带宽度3.2 eV 只能吸收太阳光中的紫外光 太阳能利用率低 限制了其应用 所以要进行改性使其能够利用可见光 虽然禁带宽度大了 但其可见光吸收强了 有现实应用意义 有什么问题可以问我 咱俩方向一致的应该

那掺杂能级的引入提高可见光的响应是以牺牲催化剂的氧化还原能力为条件的，这么理解可以吧？... 理论上来讲掺杂能级的引入只是在导 带和价带之间引入了一个电子的受体，并不会改变二氧化钛的导带和价带的位置，因些也不存在牺牲催化剂的氧化还原能力之说。具体的还是要看催化过程，如果你测试的体系里边是光生电子在起作用的话，加入掺杂能级后掺杂能级会补获激发的电子从而使电子与空穴的分离效率增加，空穴的寿命会更长，如果你人催化体系是空穴在起主导作用，那么催化效果应该会变好。如果是电子起主导作用 这就不好说了。由于中间能级的引入，可能使你的二氧化钛具有可见光响应。也就是说在可见光的条件下可以产生光生电子占据掺杂能级，催化活性好与不好 就得取决于占据于掺杂能级的电子能不能有效的传递到催化剂的表面与相关的物质作用形成中间体自由基或是直接发生反应以及其相应的氧化还原电位。如果引入掺杂能级后 同样也是用觜外光来激发，激发的电子可能更多的会流向掺杂能级，这样的话催化作用也有可以降低，

禁带宽度越大 氧化还原能力越强 对于二氧化钛而言 锐钛矿相尽带宽度3.2 eV 只能吸收太阳光中的紫外光 太阳能利用率低 限制了其应用 所以要进行改性使其能够利用可见光 虽然禁带宽度大了 但其可见光吸收强了 有现实应 ... 我想问：1、为什么禁带宽度越大氧化还原反应能力越强，麻烦详细解释一下！? ?? ?2、引入杂质能级增加了可见光的响应范围，是由于杂质的掺杂引起禁带宽减小而导致的吗？

说成是“驱动力”更准确一些，也仅仅是驱动力会变小，能力什么的跟很多东西有关。