求助：如何测硅片的电导率？

所以的电测量都需用电极连接，除了电场感应法外。对Si表面电阻/电导测量，为减小电极与表面的接触电阻对测试的影响，一般都采用四电极法，即将四个等距离排列的惰性金属探针（或直接将电极沉积/粘贴）压接在样品表面，两个外电极通电流，测量两个内电极上的电位差，再用公式2（取决于电极的排列）计算即可。为了理解这一原理，推荐你看看一篇文章：http://wenku.baidu.com/view/f0cf6fea81c758f5f61f671f.html，

这里有个地址是关于四探针法测试硅单晶电阻率的，里面有F（W/S）、F（S/D）、Ft各个修正系数想对应的值和计算方法，希望对你有所帮助，有什么不懂的可以再问我。http://ishare.iask.sina.com.cn/f/14182501.html?from=dl

首先你要先确定你的四个探针之间的间距是多少，如果相邻两个探针间距小于1/4CM的话你可以用2πS的电流进行测试，即电阻率=2πS*V*Fsp（Fsp为探针间距修正系数，刚开始用的话可以不考虑，当成是1），如果探针间距大于1/4CM的话可以设定电流I=W*F（W/S）*F（S/D），电阻率=V/I*W*F（W/S）*F（S/D）*Fsp*Ft，V为电压，I为电流，W为样品厚度，F（W/S）为厚度修正系数，F（S/D）为直径修正系数，Ft为温度修正系数。