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关于葡萄糖氧化酶不出氧化还原峰的问题?

我是制备直接电化学(DET)的葡萄糖传感器,是用碳纳米材料修饰玻碳电极(GCE)然后再修饰葡萄糖氧化酶(GOx)。然而在PBS溶液中扫CV,FAD/FADH2的标准电位是-0.46v,而我修饰过GOx的电极跟不修饰GOx的电极一样,没有对应的氧化还原峰。加葡萄糖也没有响应。首先排除:1.GOx新买的应该没有失活吧,都是放在4℃冰箱中一周内使用的。2.怀疑是材料不能发生直接电化学,然后我换了CNT,依然和我的碳纳米材料一样没有任何GOx的峰。这就很尴尬了,急急急,求助朋友
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共4个回答
我的也是gox不出氧化还原峰,你的酶是怎么修饰到玻碳电极表面的,我的是金电沉积到玻碳电极表面,然后把酶溶液滴到电极表面。
做det,你的碳管要直接和活性中心连接,或者有一“导线”连接碳管和酶的活性中心,就所描述的来看,并没有达到~,上学快毕业时做过一段,只是理解一点皮毛

做det,你的碳管要直接和活性中心连接,或者有一“导线”连接碳管和酶的活性中心,就所描述的来看,并没有达到~,上学快毕业时做过一段,只是理解一点皮毛 但是很多参考文献用cnt就能做出det,也是不太理解,不会都是编数据的吧。我自己的材料用的是量子点,粒子很小应该是能接触到酶的活性中心的,
您好。我最近要用到葡萄糖氧化酶,但是我对这个不太了解,然后sigma上显示葡萄糖氧化酶有各种型号,比如type x-s,type ⅱ,type ⅲ这些,我想请问一下这些型号有什么区别么,一般做传感器用什么比较好啊。谢谢
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