锑化镓是一种III-V族的半导体材料，其分子中含有锑和镓。它具有0.726ev的能隙和0.61 nm的晶格常数。锑化镓被广泛应用于红外检测器、红外发光二极管、晶体管、激光二极管等领域。
锑化镓是通过特殊的LEC方法结晶生长而成的单结晶，可用于红外线探测器、红外发光二极管（LED）、激光、转换器、恒温光电系统等应用。
与硅（Si）系半导体相比，锑化镓及其他III-V族化合物半导体具有能带隙小、能够转换近红外领域（波长0.8um-2.2um）电磁波为电力等特点。
锑化镓衬底上的II-VI族外延片研究也在进行中，尤其是以锑化镓为基础的太阳能芯片。
为了解决现有技术存在的问题，本发明提出了一种用于锑化镓单晶片的抛光方法。该方法能够使锑化镓单晶片表面损伤小、无划痕和腐蚀坑的缺陷减少，表面粗糙度低，粗糙度值Ra可达到小于0.3 nm。
该抛光方法分为三步：粗抛光、中抛光和精抛光。
粗抛光阶段使用氧化铈抛光垫，抛光液中含有粒径为W1的氧化铝磨料，抛光压力为100-200 g/cm2，转速为10-40转/分钟，抛光液流量为10-50 mL/min。
中抛光阶段使用黑色聚氨酯抛光垫，抛光液中含有粒径为60-100 nm的二氧化硅纳米磨料和氧化剂次氯酸钠，抛光压力为80-150 g/cm2，转速为60-100转/分钟，抛光液流量为10-30 mL/min。
精抛光阶段使用黑色合成革抛光布，抛光液为无磨料抛光液，抛光压力为30-100 g/cm2，转速为20-60转/分钟，抛光液流量为5-10 mL/min。
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