近年来，化学通式为MX2 (M=Mo, W, Re, Sn等；X=S, Se, Te)的TMDs因其独特的结构、物理特性和光电性能而备受关注。为了实现TMDs在电子和催化方面的工业化应用，制备高质量和大尺寸的TMDs至关重要。目前，机械剥离和化学气相沉积是制备TMDs的主要方法。
然而，机械剥离方法存在尺寸、均匀性和厚度可控性差、生产效率低、无法大规模合成等问题，限制了其工业化应用。相反，化学气相沉积方法通过精确控制材料形貌、缺陷和结构，成功制备了大尺寸和高质量的TMDs。
本文介绍了一种利用熔融盐化学气相沉积法合成高质量二硫化锡(SnS2)的方法。SnS2是一种光电性能优异的二维范德华半导体材料，具有无毒、环境友好、含量丰富且易于制备的特点。通过对双层SnS2进行不同金属插层，可以改变其导电类型和态态，从而丰富了其在电学、光学和催化方面的应用。
研究团队通过熔融盐化学气相沉积法成功合成了超过410μm的大尺寸SnS2。拉曼光谱分析结果表明，可以通过拉曼振动模式判断SnS2的层数。扫描透射显微镜(STEM)观察结果显示，制备的SnS2具有六角结构且没有缺陷或畸变。晶体管测试表明，SnS2具有良好的电学性能，开关比可达108，迁移率为2.58 cm2V-1s-1。
此外，研究团队还研究了温度对晶体管电学性能的影响。研究发现，在低于275 K的温度下，电子迁移率主要受限于电离杂质散射；而在高于275 K的温度下，声子散射成为主要散射机制。这些研究结果表明，SnS2具有优异的电学性能和制备可控性，为二维TMDs在电催化、电子和光电方面的应用提供了新的可能性。
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