磷化铟（InP）是一种重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，被认为是新一代电子功能材料。它具有许多优点，例如直接跃迁型能带结构、高的电光转换效率和电子迁移率，以及易于制成半绝缘片材料。此外，磷化铟还适用于制作高频微波器件和电路，具有高工作温度和强抗辐射能力。它在固体发光、微波通信、光纤通信、制导/导航、卫星等民用和军事领域有广泛的应用。
在20世纪50年代末，科学家们通过水平布里奇曼法、温度梯度法和磁耦合提拉法成功生长出磷化铟单晶。随后，Mullin等人在1965-1968年首次使用三氧化二硼做液封剂，采用LEC法生长出了磷化铟单晶材料，为后来生长大直径、高质量Ⅲ-Ⅴ族单晶奠定了基础。随着透射电镜技术的应用和光纤通信事业的迅速发展，光电器件和太阳能电池的需求大大推动了磷化铟材料的研究和发展。国际上也开始举办磷化铟及相关材料的学术会议，如1989年开始由IEEE主办的“磷化铟及相关材料国际会议（IPRM）”。各国也纷纷关注磷化铟单晶材料的制备和相关器件的发展，并在该领域保持领先地位。
虽然我国在磷化铟材料的应用方面相对较落后，但在20世纪70年代就开始了磷化铟单晶材料的研制工作，并在80年代初开始了自主研发磷化铟器件。尽管我国的基础工业相对落后，但科学工作者在磷化铟多晶合成和单晶生长方面取得了许多成果。
磷化铟材料的发展也促进了PBN坩埚的需求。山东国晶新材料有限公司一直致力于生产更高质量的PBN坩埚，为满足磷化铟材料生产厂家的需求提供支持。
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