在半导体工业中，三氟化氮主要用于化学气相淀积(CVD)装置的清洗。它可以单独使用，也可以与其他气体组合，用作等离子体工艺的蚀刻气体。例如，NF3、NF3/Ar、NF3/He可以用于硅化合物MoSi2的蚀刻，而NF3/CCl4、NF3/HCl既可以用于MoSi2的蚀刻，也可以用于NbSi2的蚀刻。
三氟化氮是微电子工业中一种优良的等离子蚀刻气体。与四氟化碳和四氟化碳与氧气的混合气体相比，它在硅和氮化硅蚀刻中具有更高的蚀刻速率和选择性，并且对表面无污染。特别是在厚度小于1.5 um的集成电路材料的蚀刻中，三氟化氮具有非常优异的蚀刻速率和选择性，能够在被蚀刻物表面不留任何残留物，同时也是非常良好的清洗剂。
三氟化氮的主要生产工艺有化学法和熔盐电解法。化学合成法具有安全性高的优点，但设备复杂且杂质含量多；而熔盐电解法更容易得到高纯度产品，但存在一定的浪费和污染。目前，日本与国内生产高纯三氟化氮的厂家大多采用NH4H氟气熔融盐电解法，而欧美国家则一般采用直接化合法。
我国的三氟化氮生产商主要有中船重工718所、奥瑟亚新材料(韩国OCI)、爱思开新材料(韩国SK)、晓星新材料(韩国晓星)及黎明大成(黎明院与韩国大成合作建厂)。目前，中船重工718所及其下属派瑞特气是国内最大的三氟化氮生产商。
根据预测，到2021年全球三氟化氮市场的需求量将达到4万吨左右。随着半导体和显示面板行业生产及消费重心逐渐向中国大陆转移，并且生产三氟化氮的主要原料都由国内供应，国内三氟化氮的生产和应用向国内转移是大势所趋。预计到2021年，国内三氟化氮的需求量将达到近1.6万吨，占全球约40%，年复合增长率约为29%。
2019年全球三氟化氮的产能约为3万吨/年，中国企业的产能超过了1/3，供需处于基本匹配的状态。目前，三氟化氮的主要生产厂家集中在韩国，而国内的三氟化氮产能则集中在中船重工718所和黎明院。其中，中船重工718所是国内最大的三氟化氮生产企业，现有产能为6000吨/年，二期项目预计于2020年达产，扩产后三氟化氦的产能将达到15000吨/年。黎明院与韩国大成产业气体株式会社(DIG)合作开展的三氟化氮项目，现有年产能达2000吨/年。黎明院还计划新建3000吨/年的三氟化氟产能，预计于2021年达产。此外，山东飞源目前拥有500吨/年的三氟化氮产能，并且有一个在建产能为4000吨/年的项目，该项目于2016年进行了环评公示。
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