小弟最近开始接触光刻，自己做了几次，也了解了光刻的原理，根据光刻形成的梯形与倒梯形，我知道做lift-off时最好用负胶形成倒梯形，这样蒸镀的金属膜不会连成一片有利于溶剂渗进去溶解光刻胶。做lift-off听说反转胶AZ5214E比较好用，但是我们这边没有，只有SU8的负胶，我拿2005和2015分别做了两个片子，现在用丙酮泡着，但是去胶效果不明显，感觉也很容易把直接蒸镀在硅片上（也就是我想要的pattern）的金泡下来。而做pdms通道的时候，是不是建议用正胶，这样形成正梯形，后期揭pdms的时候不会刮伤通道。请教一下大家，去胶有没有更好的方法，以及小弟对正负胶的使用的理解有没有错误
贴图是我用SU8 2005做的一个片子，手艺不行
