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关于光催化中,价带和导带电位与氧化还原电位之间的位置?

看很多光催化的综述提到,价带空穴的电位越正,导带电子的电位越负,其光催化性能越好,请问这是为什么呢?求大神详细的讲解下,谢谢。
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共5个回答
一样的意思,不过你的能级位置是相对于真空能级,一般文献中NHE是相对于标准氢电极...
上面不是说,OER或者是HER的效果差,原因是价带和导带边与水裂解的氧化还原电势远,就是越近越好,没问题吧
能带带边位置怎么算呢 楼主
您好,最近看到一篇文献 (J. Am. Chem. Soc. 2017, 139, 15429−15436) ,里面提到CBM和VBM位置离氧化还原势越远,催化效果越好,这跟上面的理解不是矛盾了吗?现在有点乱了,不知道哪个是对的了。

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一样的意思,不过你的能级位置是相对于真空能级,一般文献中NHE是相对于标准氢电极
导带更负,还原过程中的活化能ΔG更负,热力学更加可行,催化效果更佳,这很难理解么?
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您好,最近看到一篇文献 (J. Am. Chem. Soc. 2017, 139, 15429−15436) ,里面提到CBM和VBM位置离氧化还原势越远,催化效果越好,这跟上面的理解不是矛盾了吗?现在有点乱了,不知道哪个是对的了。

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导带点位越负说明还原能力越强,催化还原效果更好; 但你这种提法严格来说不太严谨,导带越负,价带越正,很可能不能利用可见光,而且催化效果往往受多方面因素影响,比如电子空穴复合情况。。。

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