硒化铟是一种无机化合物,化学式为In2Se3。它是一种黑色晶体或暗黑色鳞片状物质,属于二维层状半导体材料。
通过对In-Se熔融体进行X射线衍射研究,发现硒化铟存在五种二元化合物,分别是In4Se3、InSe、In6Se7、In3Se4和In2Se3。其中,In2Se3的研究最为广泛,它具有α、β、γ、δ和κ五种晶体结构。
硒化铟的单晶可以通过Bridgman–Stockberger法制备。该方法使用一定比例的硒单质和铟单质作为原料,在高温长时间反应的管式炉中制得硒化铟的各种化合物。
另外,硒化铟的水热法合成研究较晚。该方法是将抗坏血酸溶解在乙醇溶液中,然后加入InCl3和Se粉,将混合物装入反应釜中,在高温220℃下保持20小时,最终得到直径为2-4μm的花状γ-In2Se3球体。
2016年11月,曼彻斯特大学和诺丁汉大学的研究人员成功合成了纳米级超薄硒化铟。这种材料仅有几层原子的厚度,并且表现出优于硅的半导体性能,被认为是未来替代硅制作电子芯片的理想材料。