关于两种物质形成异质结的问题？

我看到有些文献中描述两种物质形成异质结并可以大大增加材料的光催化性，例如《Epitaxial Growth of CdS Nanoparticle on Bi2S3 Nanowire and Photocatalytic Application of the Heterostructure》但是理论上异质结的形成需要两种物质的晶格常数相近，否则会使得界面处发生晶格畸变造成较大的位错和缺陷，而这些位错和缺陷会增加光生电子和空穴的复合率，从而降低光催化性能。在上述文献中Bi2S3（JCPDS 17-0320）的晶格常数为11.149*11.304*3.981<90*90*90>CdS（JCPDS 41-1049）的晶格常数为4.141*4.141*6.72<90*90*120>这两种材料晶格常数相差不小啊，为什么还能形成异质结，而且可以大大地增强光催化性能？求高手指点。