硒化镓的纳米结构研究及其应用前景？ ¹

硒化镓（GaSe）是一种暗棕红色的薄片状晶体，具有润滑感。它是一种重要的二元半导体，具有各向异性、较宽的带隙以及新奇的光学和电学性质。因此，在太阳能电池、光探测器和集成光电子器件等领域有着广阔的应用前景。

自催化合成硒化镓纳米结构

湖南大学的唐路平等人首次报道了一种通过化学气相沉积的方法自催化合成硒化镓纳米结构的方法。他们通过合理选择反应物和控制实验条件，成功制备出了单晶GaSe纳米带、纳米片以及大面积薄膜。

他们采用微纳加工的方法制作了基于GaSe纳米带材料的场效应晶体管和光电探测器，并对其光电子特性进行了系统的研究。

通过光学显微镜、SEM和AFM观察，可以清晰地看到所得到的纳米带表面平整干净，宽度为1到20微米，尺度长达十几毫米，厚度大约100 nm左右。XRD、TEM及EDX测试显示出合成的GaSe纳米带具有六方晶相结构，原子比例为Ga:Se=1:1且具有良好的结晶质量。拉曼散射光谱及光致发光光谱的峰位与之前的报道一致，充分证明合成的GaSe纳米带具有优异的结晶质量。

通过高精度的电子束曝光系统和热蒸发系统，他们成功制作了GaSe纳米带场效应晶体管和光电探测器。测试结果显示，GaSe纳米带显示出p型半导体的性质，具有较高的载流子迁移率和超低的漏电流。同时，在520 nm激光照射下，GaSe纳米带显示出良好的功率相关响应特性，具有较高的R值。与其他类似器件相比，制作的GaSe纳米带探测器具有更好的性能。

此外，他们还成功实现了大面积的GaSe薄膜的生长，并通过多种手段测试了所合成GaSe纳米片的性质。实验结果显示，合成的GaSe纳米片具有较高的结晶质量，具有在大规模集成电路中应用的潜力。此外，他们还通过调控反应条件，成功合成了带隙可调的Inx Ga_1-x-x Se纳米带，为后续研究奠定了基础。

参考文献

[1] 化合物词典

[2] 唐路平. 硒化镓纳米结构的CVD制备及其光电特性研究[D].湖南大学,2018.