近年来，氧化镓晶体生长技术取得了突破性进展，推动了相关器件的研究。国家重点研发计划也发布了相关研究指南，激发了国内科研机构的兴趣。我国科学工作者在氧化镓材料和器件研究方面取得了重要进展。
氧化镓（β-Ga2O3）是下一代超宽禁带半导体材料，具有较大的禁带宽度、击穿场强和电子迁移率。通过熔体法可以获得低缺陷密度的大尺寸β-Ga2O3衬底，使得β-Ga2O3器件的成本更低。在高压大功率电子电力器件领域，β-Ga2O3功率器件具有更低的导通电阻、功耗更小、更耐高温，能够节约电能损失。
目前，氧化镓衬底已经可以达到4英寸，外延层具有较好的平整度。氧化镓材料的击穿电场和氧化镓肖特基二极管的击穿电压已经取得了重要突破。同时，MOSFET和高频器件也取得了显著进展。
氧化镓器件仍处于实验室阶段，面临着一些挑战。其中之一是氧化镓衬底的低热导率，可以通过键合技术或金属热沉解决。P型掺杂仍然是一个挑战，但可以采用单极器件。其他挑战包括栅介质、欧姆接触、终端技术和外延层的改进。解决这些问题后，氧化镓功率器件将迎来辉煌的未来，为高效能功率器件提供新的选择方案。
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