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如何通过光催化方法制备卤化钙钛矿/导电聚合物材料和器件? 1

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卤化钙钛矿光催化3,4-乙烯二氧噻吩(EDOT)及其衍生物在光电材料和器件制备方面具有重要应用前景。北京理工大学陈锟研究员等进行了一项研究,报道了一种新的反相蛋白石材料Cs3BixSb(2-x)Br9 (X=0, 0.25和0.5),该材料可以直接光催化聚合EDOT,从而提高了制备卤化钙钛矿/导电聚合物材料和器件的便利性。

SEM图像(a)和TEM图像(b)Cs3BixSb2-xBr9(X=2,1.5,1,0.5,0.25 and 0)催化性能和能级。.png

SEM图像(a)和TEM图像(b)Cs3BixSb2-xBr9(X=2,1.5,1,0.5,0.25 and 0)催化性能和能级。

聚3,4-乙烯二氧噻吩(PEDOT)是一种常用的导电聚合物材料,广泛应用于光电材料和器件中。卤化钙钛矿光催化3,4-乙烯二氧噻吩(EDOT)及其衍生物在光电材料和器件制备方面具有重要应用前景。目前,卤化钙钛矿材料光催化制备PEDOT的噻吩衍生物前体主要是EDOT的三聚体(TerEDOT),但合成TerEDOT耗时且易氧化变质。因此,如果能够使用市售的EDOT作为聚合前体,将对利用光催化方法制备卤化钙钛矿/PEDOT复合材料和器件具有重要意义。

为了实现这一目标,北京理工大学陈锟研究员等制备了一系列不同卤素组成和铋(Bi)/锑(Sb)比例的高结晶度全无机钙钛矿反相蛋白石材料,并研究了这些材料光催化EDOT聚合的性能。通过调整锑基卤化钙钛矿Cs3Sb2Br3xI9-3x (X=0, 1, 1.5, 2 and 3)中卤素组成,使Cs3Sb2Br9的导带位置低于EDOT的氧化电势,从而使EDOT的光催化聚合过程在热力学上变得可行。此外,锑与噻吩衍生物硫原子之间的相互作用也有利于Cs3Sb2Br9催化EDOT聚合。由于Bi/Sb双基卤化钙钛矿中Bi主要影响导带位置而Sb主要影响价带位置,因此,引入Bi形成双基卤化钙钛矿可以在保持价带位置不变的前提下降低材料能隙带,从而从动力学方面优化光催化性能。

为了进一步提高卤化钙钛矿催化EDOT聚合的性能,研究人员在Cs3Sb2Br9中引入了Bi,并优化了双基卤化钙钛矿中Bi/Sb的比例。结果表明,Cs3Bi0.5Sb1.5Br9比Cs3Sb2Br9具有更高的催化活性。在稳定性方面,Cs3Bi0.5Sb1.5Br9经过回收后仍可用于EDOT聚合反应。尽管PEDOT的沉积减少了活性位点,导致催化剂性能降低,但电镜和XRD结果显示钙钛矿的形貌和结构并未发生明显改变。

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