小型溅射仪的工作原理是指电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子；新电子飞向基片，Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子会受到电场和磁场作用，产生E（电场）×B（磁场）所指的方向漂移，简称E×B漂移，其运动轨迹近似一条摆线。
若为环形磁场，则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动，它们的运动路径不仅很长，而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，并且在该区域中电离出大量的Ar来轰击靶材，从而实现了高的沉积速率。随着碰撞次数的增加，二次电子的能量消耗殆尽，逐渐远离靶表面，并在电场E的作用下沉积在基片上。由于该电子的能量很低，传递给基片的能量很小，致使基片温升较低。
小型溅射仪包括：气路、真空系统、循环水冷却系统、控制系统。其中：
(1)气路系统：与PECVD系统类似，磁控溅射系统应包括一套完整的气路系统。但是，与PECVD系统不同的是，PECVD系统中，气路中为反应气体的通道。而磁控溅射系统气路中一般为Ar、N2等气体。这些气体并不参与成膜，而是通过发生辉光放电现象将靶材原子轰击下来，使靶材原子获得能量沉积到衬底上成膜。
(2)真空系统：与PECVD系统类似，磁控溅射沉积薄膜前需要将真空腔室抽至高真空。因此，其真空系统也包括机械泵、分子泵这一高真空系统。
(3)循环水冷却系统：工作过程中，一些易发热部件(如分子泵)需要使用循环水带走热量进行冷却，以防止部件损坏。
(4)控制系统：综合控制PECVD系统各部分协调运转完成薄膜沉积，一般集成与控制柜。
1、膜厚检测仪原理：膜厚监测仪是采用石英晶体振荡原理，利用频率测量技术加上先进的数学算法，进行膜厚的在线镀膜速率和实时厚度计算。主要应用于MBE、OLED或金属热蒸发、磁控溅射设备的薄膜制备过程中，对膜层厚度及镀膜速率进行实时监测。
2、溅射仪是否可以镀镍：可以镀镍 但是 镍是导磁金属 所以 需要靶材尽量薄 0.5mm-1mm最好 太厚磁场无法穿透 溅射速率很低。
3、直流溅射镀膜调节：1 靶材需要良好的导电性, 如果具备这个条件 可以镀 2 遇到容易氧化的金属 需要配备分子泵把本底真空抽到1E-3Pa 放氩气维持真空到1Pa左右镀膜的金属接近本色。
郑科探小型溅射仪KT-Z1650PVD
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