1、硅烷（sih4）：有毒。硅烷在半导体工业中主要用于制作高纯多晶硅、通过气相淀积制作二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、多晶硅隔离层、多晶硅欧姆接触层和异质或同质硅外延生长原料、以及离子注入源和激光介质等，还可用于制作太阳能电池、光导纤维和光电传感器等。2、锗烷（geh4）：剧毒。金属锗是一种良好的半导体材料，锗烷在电子工业中主要用于化学气相淀积，形成各种不同的硅锗合金用于电子元器件的制造。3、磷烷（ph3）：剧毒。主要用于硅烷外延的掺杂剂，磷扩散的杂质源。同时也用于多晶硅化学气相淀积、外延gap材料、离子注入工艺、化合物半导体的mocvd工艺、磷硅玻璃（psg）钝化膜制备等工艺中。4、砷烷（ash3）：剧毒。主要用于外延和离子注入工艺中的n型掺杂剂。5、氢化锑（sbh3）：剧毒。用作制造n型硅半导体时的气相掺杂剂。6、乙硼烷（b2h6）：窒息臭味的剧毒气体。硼烷是气态杂质源、离子注入和硼掺杂氧化扩散的掺杂剂，它也曾作为高能燃料用于火箭和导弹的燃料。7、三氟化硼（bf3）：有毒，极强刺激性。主要用作p型掺杂剂、离子注入源和等离子刻蚀气体。8、三氟化氮（nf3）：毒性较强。主要用于化学气相淀积（cvd）装置的清洗。三氟化氮可以单独或与其它气体组合，用作等离子体工艺的蚀刻气体，例如，nf3、nf3/ar、nf3/he用于硅化合物mosi2的蚀刻；nf3/ccl4、nf3/hcl既用于mosi2的蚀刻，也用于nbsi2的蚀刻。9、三氟化磷（pf3）：毒性极强。作为气态磷离子注入源。10、四氟化硅（sif4）：遇水生成腐蚀性极强的氟硅酸。主要用于氮化硅（si3n4）和硅化钽（tasi2）的等离子蚀刻、发光二极管p型掺杂、离子注入工艺、外延沉积扩散的硅源和光导纤维用高纯石英玻璃的原料。11、五氟化磷（pf5）：在潮湿的空气中产生有毒的氟化氢烟雾。用作气态磷离子注入源。12、四氟化碳（cf4）：作为等离子蚀刻工艺中常用的工作气体，是二氧化硅、氮化硅的等离子蚀刻剂。13、六氟乙烷（c2h6）：在等离子工艺中作为二氧化硅和磷硅玻璃的干蚀气体。14、全氟原盐中硫酸根含量达到多少时会对离子膜造成损坏 怎样计算 丙烷（c3f8）：在等离子蚀刻工艺中，作为二氧化硅膜、磷硅玻璃膜的蚀刻气体。
