石英坩埚 1．石英坩埚可在1450度以下使用，分透明和不透明两种。用电弧法制的半透明石英坩埚是拉制大直径单晶硅，发展大规模集成电路必不可少的基础材料。当今，世界半导体工业发达国家已用此坩埚取代了小的透明石英坩埚。他具有高纯度、耐温性强、尺寸大精度高、保温性好、节约能源、质量稳定等优点。 2、不能和hf接触，高温时，极易和苛性碱及碱金属的碳酸盐作用。 3．石英坩埚适于用k2s2o7，khso4作熔剂熔融样品和用na2s207(先在212度烘干)作熔剂处理样品。 4．石英质脆，易破，使用时要注意。 5．除hf外，石英玻璃坩埚普通稀无机酸可用作清洗液。国内常用拉制单晶硅用石英坩埚18英寸和20英寸也有厂家使用22及以上的坩埚。目前国内坩埚生产厂家生产的18和20英寸坩埚技术都比较成熟。其生产使用原料石英砂主要由美国进口。国内产的石英砂纯度都达不到其要求。其原料里杂质在生产时高温熔制过程中产生黑点气泡等 对拉制单晶硅时其稳定性都有一定影响。 目前坩埚生产涂层技术已被大多数厂家使用就是在普通石英砂溶制的坩埚表面涂上一层高纯度石英砂使其形成致密层，其致密层能阻止单晶硅高温拉制过程中硅与石英坩埚反应提高成晶率。 第一次设计——缓冲罐——请高人指点工艺流程 尤尼明高纯石英砂→高纯石墨模具→真空装料成型→真空电弧熔制→自然冷却脱模→石英坩埚初步检测→冷加工喷砂、切断、倒角→石英坩埚二次检测→超净清洗、超声、高压喷淋、自动烘干→石英坩埚三次检验→真空包装→成品入库 生产技术 目前，国内石英坩埚生产企业生产中使用的生产设备及工艺技术全部源于上世纪70年代初锦州155厂从日本引进的生产设备及工艺技术，该项技术设备自动化程度不高，整个生产过程中更多的依靠人工来实现，现在国内新上的坩埚生产设备都已经往自动化发展。 原辅材料 主要原料：采用美国unimin公司生产的高纯iota-cg石英砂及纯度更高的iota-4、iota-6石英砂。 主要指标：（单位：ppm） 元素名称 al fe ca mg ti ni mn cu li na k co b 含量 11.6 0.3 0.5 0.5 1.0 0.01 0.05 0.01 0.7 0.43 0.42 0.03 0.04 1、辅料： ①石墨电极采用φ76mm粗高纯电极棒 灰份：<80ppm 假比重：1.6g/cm 比电阻：<15×10ω.cm 抗弯强度：>1.47×10pa ②石墨模具 灰份：<200ppm 假比重：16g/cm 抗弯强度：>1.67×10pa ③大尺寸石英遮热板 纯度：al<200 na<30 li<30 fe<30 k<30
