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EBL后resist的开裂问题?

现在在学点纳米制造,用ebl做纳米级结构。但是现在的问题是,显影之后,resist层总会有不同程度的较为严重的开裂,尽管所设计的图案也可以做出来……
如图所示,所设计的图案显影后出现了(中间部分,被电子束扫描的部分,resist被溶解)。然而其他的部分莫名出现很多裂痕不知道为啥。
所使用的条件为:
丙酮,水,异丙醇依次超声洗三分钟,氮气吹干。
氧气等离子体15分钟。
zep520a spin coating,500rpm 5秒, 2000rpm 60秒。
180摄氏度两分钟,随后放在金属台面冷却。
同样的旋涂spin coating 一种叫Espacer的导电高分子。
进eb ,50kV 200pA, dosetime 0.45 us/dot。
显影用二甲苯,三分钟。异丙醇冲洗,氮气吹干。


以上是我的一些步骤和参数。有没有大神知道哪里出了问题或者哪里可能出问题……




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共3个回答
忘了说了 基底是玻璃

匀胶前用热板107℃烘烤基底2min会增加胶和基底粘附性。防止龟裂...
但你匀胶前用O等离子体了15分钟

匀胶前用热板107℃烘烤基底2min会增加胶和基底粘附性。防止龟裂
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