有关水热法合成四氧化三铁包裹硅后再包裹介孔硅？

按着赵东元的水热法合成四氧化三铁，合成直径约150nm，然后继续包硅壳发现硅壳厚度改变不了，TEOS的量已经很多，接着包介孔硅无论加TEOS的量是多少硅层厚度也不怎么变。