如何提高正性光刻胶侧壁的垂直度和平整度?

对了，光刻机光源波长是365nm，做线条的话精度在2微米左右

另外，图看不太清，折皱是基地材料对光反射在光刻胶侧壁出现的干涉的现象。可以考虑换基地材料或者增加抗反射涂层。

这是曝光显影的问题吧？所谓的刻蚀后出现的毛刺是指基片还是光刻胶？没理解问题

增加曝光时间

2um宽度的线条，首先你要确定你的光刻胶厚度，光刻胶的技术参数，确定你使用的光刻胶能否满足你的曝光要求，
其次是你的曝光设备能力，曝光过程中晶圆与光刻版接触存在间隙的话也不太作出陡直的形貌。
从你发的SEM图看，显影后烘明显光刻胶已经玻璃态了，是不是后烘烤温度时间太高太长了？
显影后有很多褶子的，线条呈现锯齿状有可能曝光时光刻胶与光刻版之间间隙过大导致，或者光刻胶厚度过大，也有一种可能是光刻版脏污导致，特别是用无尘布反复蘸取丙酮擦拭光刻版，这样做光刻版图形边缘会有毛刺状残留，判断方法是不同晶圆同一位置毛刺位置形状相同。
最好你把你的情况详细一些写出来，涂胶程序转速，前烘温度时间，光刻模式，后烘时间温度，显影时间在加上两个光刻显影后和坚膜后的图，光刻胶厚度，型号，光刻机型号，晶圆尺寸是破片还是晶圆？才更好判断一些

这个东西不是改善一个环节可以改善的  人机料法环检测

想在侧壁上做微结构？是在光刻胶的侧壁吗？还是指基片侧壁？如果是光刻胶的侧壁，有难度吧。
原因可能有以下几点：光刻胶是否有杂质？切面是否对原来的光刻胶结构造成损坏？
你可以试试：
1. 上胶前给基片做HMD.
2. 110度，90秒左右的前烘焙时间.
3.  等待15-20分钟后再进行曝光.（做到完全曝光，或者尝试不断增加曝光剂量）
4. 选择无金属离子的显影剂，或者对比度高的 （做到完全显影）