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钨酸铋半导体材料性能问题?

此贴是关于钨酸铋纳米材料的性能:主要有以下几个问题困扰我,希望大家一起交流一下~~~~1、钨酸铋的禁带宽度,尺度差不多的钨酸铋,禁带宽度有说2.8 eV的,有说3.0 eV的。为何有这样的差异?文献里测得紫外吸收图到底靠不靠谱,是否真的能吸收到420nm以上?2、与三氧化钨相比,两者吸光类似,但是三氧化钨性能能到毫安级别。而钨酸铋只有微安级别。查遍文献不得其解,有木有高人研究过?到底制约其性能的主要问题是什么?3、表面反应速率问题是否在其中起到很大作用?因为有些用助催化剂的能明显提高活性。4、同样的,也有一些加入空穴牺牲剂的,也可以明显提高活性。以上几个问题想向朋友大神们虚心求教,互相探讨,不胜感激。
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共3个回答
路过的看了一下,帮顶,祝福好运!~~~~~~~~~~~~~~~~~~
不同合成方法的物质能隙有一定的差异,因为都不是完美晶体。还有就是量子限域效应和尺寸效应
第二点不清楚,对他们电子结构不了解第一点,确实合成方法不同可能导致表面缺陷不同所以有微小差异,基本都还可以接受,0.2eV;其实还有个解释,也可以怀疑别人数据没处理好,一般DRS的图谱是不给纵坐标的,如果用切线作图没交到y=0的线上,就会出现误差,0.2eV的误差就出来了。第三点,这是必然的有很大影响,比如最近康振辉课题组发的关于C-C3N4的工作,有发现表面生成双氧水比生成氧气更快;助催化剂改善活性的机制很多。第四点,空穴牺牲剂也是消耗空穴,相对电子就积累出来了,
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