直流溅射相关参数影响的请教？

自己想做关于金溅射相关的实验，用的是直流溅射仪（DC sputter）。然后现在遇到的问题就是，
1.如果增加溅射仪的power ，金颗粒在真空状态下下落速度是会增加？如果速度增加的话，那么他在磁场中的移动是否会呈现更好的直线性？又或者说，他通过某个掩膜的话，加大电压那么通过的颗粒会更多？

自己查询了很多相关的资料，实在找不到，实验停滞在这里没有办法进行。有没有大神做过这个参数变化，然后观察金颗粒或者其他金属颗粒的变化的？